条状部分为电容🔽器🎃连续中出18。
DRAM单🐢元通常采用1T💩1C结构，由🍤连续中出18。
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条状部分为电容🔽器🎃连续中出18。
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DRAM单🐢元通常采用1T💩1C结构，由🍤连续中出18。
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